凈化工程潔凈室的溫濕度主要是根據(jù)您的加工工藝要求來確定，在滿足加工工藝的條件下，先應該考慮人的舒適感。隨著空氣潔凈度要求的提高，工藝對溫濕度的要求也越來越高，必須達到一定的溫濕度等級。例如在大規(guī)模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜過25度。
 

　　濕度過高產生的問題更多。相對濕度過55%時，凈化工程冷卻水管壁上會結露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。凈化工程要控制溫濕度具體有什么措施？
 

　　然而對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內部的壓力(靜壓)高于外部的壓力(靜壓)。壓力差的維持一般應符合以下原則：
 

　　1.潔凈度高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度低的空間的壓力。
 

　　2.相通潔凈室之間的門要開向潔凈度高的房間。
 

　　3.潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。
 

　　壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄(或滲透)風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。
 

　　對于亂流潔凈室由于主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內污染的程度，所以主要用換氣次數(shù)這念，而不直接用速度的概念，不過對室內氣流速度也有如下要求；1.送風口出口氣流速度不宜太大，和單純空調房間相比，要求速度衰減更快，擴散角度更大。2.吹過水平面的氣流速度(例如側送時回流速度)不宜太大，以免吹起表面微粒重返氣流，而造成再污染，這一速度一般不宜大干0.2m/s。